Новости arrow Блог arrow Математическое моделирование механизма удаления материала с поверхности пластины
Математическое моделирование механизма удаления материала с поверхности пластины Версия для печати
29.07.2012


Проанализирован механизм износа в твердотельном контактном состоянии при химико-механическом полировании (ХМП) пластин. Основываясь на допущениях об упругом контакте в системе двух твердых тел пластина-абразив и полировальник-абразив, и, также, допуская тот факт, что размер полирующих частиц аппроксимируется нормальным распределением, а шероховатость поверхности полировальника имеет определенную периодичность - была составлена математическая модель для определения скорости удаления материала с поверхности пластины. Расчеты по определению скорости удаления материала проводили по формуле MRR pw N - Volremove, где pw-плотность обрабатываемого материала, N - количество активных абразивных частиц участвующих в износе материала и Volremove(объем удаленного материала одной активной частицей абразива.

Данная модель включает в себя все используемые параметры процесса ХМП такие как давление, вид суспензии и её физические свойства, тип полировальника и его механические и физические свойства, включая его структуру (размер и плотность пор), механические свойства обрабатываемого материала. Как показывают расчеты, скорость удаления материала зависит от физических свойств суспензии (концентрации суспензии, плотности абразива и среднего размера коллоидной частицы), и механических и физических свойств полировальника, таких как твердость Н, модуль упругости Е и размер пор. Полученные при помощи данной модели прогнозируемые данные хорошо согласуются с экспериментальными результатами, что подтверждает правильность подхода при составлении модели.

Разработка методологии внешнего гидроабразивного геттерирования в производстве пластин кремния

Среди методов внешнего геттерирования наиболее простым и легко реализуемым в условиях современного производства пластин кремния является метод гидроабразивного гет герирования, В настоящей работе проводились исследования этого процесса. Анализ типов и плотности вторичных дефектов, возникающих на обратной стороне пластины после создания гидроабразивного геттера и последующей термообработки, проводили металлографическими методами.

Для характеризации возникающих при такого рода воздействии повреждений и их эволюции при высокотемпературных обработках применили комплекс рентгенодифракционных методов. На основе анализа модели эрозийного износа определены основные факторы, влияющие на скорость эрозийного износа У. Показано, что основными факторами являются массовая плотность, модуль Юнга и трещиностойкость обрабатываемого материала-мишени скорость частиц при нормальном воздействии, усредненный диаметр частиц, которые входят в выражение для скорости износа в степени.

Плотность материала абразивных частиц и твердость материала-мишени оказывают существенно меньший вклад.Поэтому основным технологическим параметром процесса является давление (скорость абразивных частиц). Эффективность метода внешнего гидроабразивного геттерирования оценивали по уменьшению плотности микродефектов на рабочей поверхности пластины в области над геттером, которая составляет как минимум 200 крат. Эффективность также была оценена по уменьшению плотности дефектов в подзатворном окисле и снижению токов утечки в МОП-структурах. Эффективность при этом составила 2-5 раз.

Исследование влияния оксида меди на процессы фазообразования в кристаллизующихся стеклах

Исследование проведено на базовом составе стекла литий-цинк-силикатной системы. При выборе базового состава изучены процессы кристаллизации стекол высококремнеземистой части этой системы. Установлено, что по мере повышения температуры обработки стекла образуются дисиликат и метасиликат лития, кристобалит, кварц и тридимит. Силикаты лития и кристобалит образуются в результате кристаллизации стеклофазы, кварц - в результате перекристаллизации кристобалита, а конечная фаза тридимит выделяется в результате перекристаллизации кристобалита и кварца на фоне снижения содержания всех ранее образующихся фаз. Исследовано влияние оксида меди на свойства и процесс кристаллизации стекла базового состава.

Изготовлены модельные образцы стекол с содержанием оксида меди 0,01, 0,1, 1,0, 10,0 массовых процентов сверх основного состава. Установлено, что оксид меди СиО приводит к снижению температуры начала деформации стекла, смещению процесса кристаллизации в низкотемпературную область на ~50°С, снижению температуры оплавления закристаллизованного материала, что, по-видимому, является следствием перестройки структуры стекла в кварцеподобную. Это сопровождается изменением количественного соотношения высококремнеземистых кристаллических фаз в закристаллизованных материалах с преимущественной кристаллизацией кварцеподобной фазы в образцах, содержащих 0,01, 0,1, 1,0 масс.% СиО, что подтверждено результатами рентгенофазового анализа. Введение 10% СиО по данным ДТА и РФА приводит к почти полному подавлению кристаллизации высококремнеземистых фаз. При этом отмечено, что ТКЛР стекол снижается по мере увеличения содержания СиО, а ТКЛР закристаллизованных материалов, напротив, возрастает.

Исследование высокотемпературных сверхпроводящих структур оксида меди

При создании приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) таких, как экраны электромагнитного излучения, резонаторы, фильтры, датчики, необходимо изучение влияния различных технологических параметров на свойства ВТСП. В данной работе исследовались сверхпроводящие структуры висмутовой керамики состава BiI7 Pb0j4 Sr2Ca2Cu3Ox с критической температурой выше 100К. Сформированы условия получения пленок ВТСП методом шелкографии и центрифугирования на подложках сапфира с подслоем ZrO2(10%Y2O3), фаната, титаната стронция, оксида магния. Для формирования сверхпроводящих фаз таблетки и пленки ВТСП отжигали на воздухе при 860°С 40 часов, температура выбрана из данных ДТА. После соответствующих электрофизических измерений при температуре жидкого азота готовые образцы и подложки анализировались следующими методами: РФА, РСА, ИКС, микроструктурный анализ, сканирующая зондовая силовая и электронная микроскопия. Изучены структура, морфология, дефектность, сплошность, гранулярный характер образцов ВТСП. контроль параметров ВТСП позволил получить сверхпроводящие структуры висмутовой системы на оксиде магния с критической температурой 100-108К в широком диапазоне толщин, пригодных для создания сверхпроводящих магнитов, нашедших применения для очистки водопроводных и сточных вод при контроле новейшими электрохимическими и оптическими методами анализа.

 
 
< Пред.   След. >

Игры для детей

Статистика

mod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_counter
mod_vvisit_counterСегодня78
mod_vvisit_counterВчера451
mod_vvisit_counterЭта неделя1129
mod_vvisit_counterЭтот месяц11893
mod_vvisit_counterВсего посещений1347556

Google